SEG10H02 是一款100V高速半桥E-GaN栅极驱动器，5V电源供电，提供高低侧驱动通道，驱动输出级具有独立的灌拉管脚，峰值拉电流高达1.7A、峰值灌电流高达5.2A；13ns的超低传输延时，内置1~2ns死区时间，高侧驱动通道支持最高100V的浮动电压，瞬态dVSW/dt抗扰度达100V/ns，可以为100V E-GaN FETs提供快速高效的驱动解决方案。此外，驱动器内置智能栅控自举二极管，提供欠压保护、过压保护、过温保护等高可靠性保护功能。产品采用DFN-3×3-16L小型化封装，体积小、寄生低，适用于48V机器人关节电机驱动、微型逆变器、数据中心等场景。

SEH29N10KL是一款29A/100V E-GaN半桥智能功率模块（HB-IPM），内部集成了高频GaN FET 驱动器与两颗E-GaN FETs。E-GaN FET 具有零反向恢复、极小的输入/输出电容（Ciss、Coss）和极低的导通内阻（6.3mΩ）等显著优势，产品输出连续电流高达29A，脉冲电流高达100A，可大幅降低开关损耗和模块温升，具有极高的功率输出密度和能量转换效率。模块采用5.5×4.5mm小体积的QFN-17L封装，极大缩小了PCB占板面积，模块内部集成自举二极管、栅电阻和电容，极大简化外围元器件电路；其内置高速E-GaN FET栅极驱动器栅控回路小，开关节点支持摆率可调，适用于机器人关节电机驱动、半桥/全桥变换器、48V服务器电源等应用。该模块为高功率密度、高效率的电源和电机驱动系统提供了集成化解决方案。

SEH60N10KA 是一款60A/100V的E-GaN半桥智能功率模块（HB-IPM），内部集成了高频E-GaN FET驱动器与两颗E-GaN FETs。E-GaN FET 具有零反向恢复、极小的输入/输出电容（Ciss、Coss）和极低的导通内阻（2.7mΩ）等显著优势，产品输出连续电流高达60A，脉冲电流可达125A，可大幅降低开关损耗和模块温升，具有极高的功率输出密度和能量转换效率。芯片采用7mm×4.5mm小体积的VQFN-18封装，极大简化了PCB外围电路和占板面积；其内置高速GaN栅极驱动器栅控回路小，支持高摆率开关，适用于机器人关节电机驱动、逆变器、48V服务器电源等应用。该模块为高功率密度、高效率的电源和电机驱动系统提供了集成化解决方案。